BC547B to popularny tranzystor bipolarny NPN w obudowie TO-92, powszechnie używany do wzmacniania sygnałów, przełączania i sterowania w elektronice amatorskiej. Dane w tym artykule zweryfikowałem wg oficjalnego datasheetu ON Semiconductor — część liczb z moich pierwotnych notatek była nieprecyzyjna (szczegóły w sekcji „Sprostowania").
Dane elektryczne
Wartości graniczne i typowe dla BC547B, wg datasheetu ON Semiconductor (BC546/D, rev. 6).
| parametr | wartość |
|---|---|
| Typ | NPN, krzem |
| Napięcie kolektor-emiter (VCEO) | 45 V |
| Napięcie kolektor-baza (VCBO) | 50 V |
| Napięcie emiter-baza (VEBO) | 6 V |
| Maks. prąd kolektora (IC, ciągły) | 100 mA |
| Moc strat (PD @ TA=25°C) | 625 mW |
| Wzmocnienie prądowe hFE (grupa B, IC=2 mA, VCE=5 V) | 200–450 (typ. 290) |
| Częstotliwość graniczna (fT, typ.) | 300 MHz |
| Zakres temperatury pracy (TJ, Tstg) | −55°C … +150°C |
| Obudowa | TO-92 (plastikowa, 3 wyprowadzenia) |
BC547 występuje w trzech grupach wzmocnienia: A (hFE 110–220), B (hFE 200–450) i C (hFE 420–800), mierzonych przy IC=2 mA, VCE=5 V. „BC547B" oznacza konkretnie środkową grupę — jeśli w podziałce masz inne oznaczenie litery, sprawdź, do której grupy faktycznie należy Twój egzemplarz.
Budowa i zasada działania
BC547B składa się z trzech warstw półprzewodnikowych: emitera, bazy i kolektora. Mały prąd płynący do bazy steruje znacznie większym prądem płynącym między kolektorem a emiterem — to podstawa działania każdego tranzystora bipolarnego jako wzmacniacza prądowego.
| elektroda | rola |
|---|---|
| Emiter (E) | elektroda, z której „wypływa" prąd nośników większościowych |
| Baza (B) | cienka warstwa sterująca — niewielki prąd bazy kontroluje dużo większy prąd kolektora |
| Kolektor (C) | elektroda zbierająca prąd płynący z emitera, sterowany przez bazę |
Ponieważ to tranzystor typu NPN, do poprawnej pracy baza musi mieć napięcie dodatnie względem emitera. Tranzystor pracuje w trzech obszarach: odcięcia (wyłączony), aktywnym (wzmocnienie liniowe) i nasycenia (włączony, jak przełącznik).
Rozmieszczenie nóżek (pinout)
Obudowa TO-92, widok od strony płaskiej ścianki, nóżki skierowane w dół.
Kolejność od lewej do prawej: Kolektor — Baza — Emiter, zgodnie z oznaczeniem producenta (ON Semiconductor, obudowa Case 29, Style 17).
Dla pewności zawsze warto zweryfikować multimetrem w trybie pomiaru diody — spadek napięcia ok. 0,6–0,7 V między bazą a emiterem oraz bazą a kolektorem potwierdza, który pin jest bazą. Różni producenci i różne warianty obudowy TO-92 potrafią mieć inną kolejność wyprowadzeń niż inne, podobnie wyglądające tranzystory (np. 2N2222 ma inny układ) — sama obudowa nie gwarantuje identycznego pinoutu.
Typowe zastosowania
Wzmacniacze sygnałowe. Wzmacnianie słabych sygnałów niskoprądowych, np. w prostych układach audio.
Przełączanie. Sterowanie większym prądem (np. przekaźnikiem, diodą LED, małym silnikiem) z poziomu sygnału logicznego, którego mikrokontroler sam z siebie nie mógłby dostarczyć.
Układy logiczne i generatory. Proste bramki dyskretne, oscylatory, generatory sygnału.
Projekty edukacyjne i prototypowe. Niska cena i szeroka dostępność czynią go naturalnym wyborem do nauki podstaw elektroniki.
Co poprawiłem względem pierwszej wersji notatek
- Moc strat (PD): w notatkach było 500 mW — wg oficjalnego datasheetu ON Semiconductor to 625 mW przy TA=25°C.
- Wzmocnienie hFE: notatki podawały „110–800 przy 10 mA" — to zlepek zakresów dla wszystkich trzech grup (A/B/C) i różnych warunków pomiaru. Dla samej grupy B, w standardowych warunkach testowych (IC=2 mA, VCE=5 V), poprawny zakres to 200–450 (typowo 290).
- Kolejność wyprowadzeń: notatki podawały Emiter-Baza-Kolektor od lewej. Wg oficjalnego oznaczenia producenta (Case 29, Style 17) poprawna kolejność to Kolektor-Baza-Emiter. Dodano też zastrzeżenie, by zawsze weryfikować multimetrem — różne obudowy TO-92 bywają rozbieżne.
- Uzupełnienia: dodano VCBO, VEBO oraz częstotliwość graniczną fT, których nie było w oryginalnych notatkach.